Τροφοδοτικό μεταγωγής Ανάλυση αρχής κυκλώματος απορρόφησης ακίδων RCD
Στο τροφοδοτικό μεταγωγής χρησιμοποιώντας ένα κύμα ράμπας για την αντιστάθμιση του ρόλου του τρανζίστορ, αυτό το άρθρο μιλά για τον ρόλο των R4, D1, C6 και την αρχή. Θα σας οδηγήσει να αναλύσετε το ρόλο κάθε στοιχείου του τροφοδοτικού μεταγωγής.
Ο πυκνωτής 4 αντιστάσεων, δίοδος D1, πυκνωτής C6 είναι ένα κύκλωμα απορρόφησης ακίδων, επειδή είναι ένα κύκλωμα αντίστασης-πυκνωτή-διόδου, που αναφέρεται ως κύκλωμα απορρόφησης RCD. Γιατί λοιπόν να προσθέσετε ένα κύκλωμα απορρόφησης ακίδας; Αυτό οφείλεται στο γεγονός ότι είναι απαραίτητο να προστατευθεί η βλάβη της υπέρτασης του σωλήνα MOS και να περιοριστεί η μέγιστη τάση στην τάση αντοχής του σωλήνα MOS. Για να μπορεί ο σωλήνας MOS να λειτουργεί με ασφάλεια, πώς λειτουργεί.
Ως αποτέλεσμα της παραγωγής μετασχηματιστή θα έχει μια συγκεκριμένη αυτεπαγωγή διαρροής, ποια είναι η επαγωγή διαρροής, είναι η αναλογία στροφών του μετασχηματιστή και των πηνίων περιέλιξης που παράγονται στο έργο του μετασχηματιστή η πρωτογενής ενέργεια δεν μπορεί να μεταφερθεί πλήρως στη δευτερεύουσα, τότε λόγω επαγωγής θα παράγουν μια αντίστροφη ηλεκτροκινητική δύναμη, με αποτέλεσμα μια αντίστροφη τάση και η υπέρθεση της τάσης τροφοδοσίας δημιουργεί μια αιχμή τάσης, αυτή η τάση θα είναι μεγαλύτερη από την τιμή της τάσης αντοχής του MOS, τη διάσπαση του σωλήνα MOS.
Επομένως, πρέπει να ενώσετε το κύκλωμα απορρόφησης ακίδας, στο πρωτεύον πηνίο του μετασχηματιστή, για να απορροφήσετε το πηνίο που δημιουργείται από την αντίστροφη ηλεκτροκινητική δύναμη, ενώθηκε το κύκλωμα απορρόφησης RCD, η διαδικασία εργασίας RCD, όταν η αγωγή του σωλήνα MOS, η τάση ρέει μέσω του πρωτεύον πηνίο μετασχηματιστή, φορτίζοντας το πηνίο, όταν ο σωλήνας MOS είναι κλειστός, ο επαγωγέας δημιουργεί μια αντίστροφη ηλεκτροκινητική δύναμη, η δευτερεύουσα τάση του μετασχηματιστή που εξέρχεται μέσω της διόδου, λόγω διαρροής του πρωτεύοντος πηνίου, δεν μπορεί να μεταφερθεί πλήρως στο δευτερεύον, η περίσσεια . Δεν μπορούν όλα να μεταφερθούν στο δευτερεύον, η περίσσεια ενέργειας θα υπερτεθεί με την τάση τροφοδοσίας, με αποτέλεσμα μια τάση αιχμής, η τάση αιχμής μέσω της διόδου D1 στον πυκνωτή C6 φορτίζει, στο αγώγιμο MOS και πάλι, ο πυκνωτής C6 στο τάση μέσω της αντίστασης εκφόρτιση R4, η περίσσεια ενέργειας μέσω της αντίστασης για κατανάλωση, το RCD ενός κύκλου εργασίας έχει ολοκληρωθεί, συνεχίστε να κυκλώνετε τον επόμενο κύκλο.
Εδώ η επιλογή διόδου γρήγορης ανάκτησης διόδου, αντίστασης και χωρητικότητας σύμφωνα με το κύκλωμα εντοπισμού σφαλμάτων για τον προσδιορισμό των παραμέτρων, το μέγεθος της τιμής της αντίστασης, όσο μεγαλύτερη είναι η απορρόφηση ενέργειας, η οποία θα επηρεάσει την απόδοση, ο σκοπός τους είναι να καταναλώσουν το κύκλωμα σε παράγουν περίσσεια ενέργειας, δεν μπορούν να καταναλώσουν την ενέργεια του ίδιου του κυκλώματος, η οποία επηρεάζει την πρωτογενή ηλεκτροκινητική δύναμη, η μεταφορά της ηλεκτροκινητικής δύναμης στη δευτερεύουσα είναι μικρότερη, μειώνοντας την απόδοση μετατροπής. Η τιμή της αντίστασης είναι πολύ μεγάλη, στην εκφόρτιση, ο ρυθμός εκφόρτισης είναι αργός, η τάση ακίδας θα πέσει αργά, η τάση ακίδας θα υπερβεί την τάση αντοχής του σωλήνα MOS, με αποτέλεσμα τη βλάβη του σωλήνα MOS. Έτσι, η τιμή της αντίστασης επιλέγεται στο κύκλωμα εντοπισμού σφαλμάτων, αποσφαλμάτωση με παλμογράφο για να δείτε την κυματομορφή του D-pole σωλήνα MOS, μπορείτε να δείτε ξεκάθαρα την τάση ακίδας, αλλάξτε την αντίσταση μπορεί να αλλάξετε την τάση ακίδας, η χωρητικότητα μπορεί επίσης να αλλάξει Το μέγεθος της τάσης ακίδα, και οι αντιστάσεις με τη χρήση του απώτερου στόχου, είναι να απορροφήσει την τάση ακίδα, η υπερβολική ενέργεια, δεν μπορεί να καταναλώσει την ενέργεια του κυκλώματος.
Το κύκλωμα απορρόφησης έχει τρία είδη, το ένα είναι RCD, μια σύνθεση διόδου επιταχυνόμενης ανάκτησης διόδου μεταβατικής καταστολής TVS, υπάρχει δίοδοι ρυθμιστή τάσης και σωλήνας δίοδος γρήγορης ανάκτησης, καθένα από τα οποία έχει τα δικά του πλεονεκτήματα και μειονεκτήματα, το κύκλωμα RCD χρησιμοποιείται περισσότερο, Οι δύο τελευταίες παρατηρούνται επίσης συχνά. Τροφοδοτικό μεταγωγής
