Απαιτήσεις για το σχεδιασμό τροφοδοτικών μεταγωγής ενός τσιπ
(1) Το κύκλωμα ανάδρασης του TOpSwitch-II πρέπει να είναι εξοπλισμένο με φωτοζεύκτη για την απομόνωση από το κύκλωμα εξόδου. Κατά το σχεδιασμό ενός τροφοδοτικού μεταγωγής ακριβείας, θα πρέπει να προστεθεί ένας ρυθμιζόμενος ρυθμιστής τάσης που σχετίζεται με ακρίβεια TL431 για να σχηματιστεί ένας εξωτερικός ενισχυτής σφάλματος για να αντικαταστήσει το σωλήνα ρυθμιστή τάσης στο κύκλωμα δειγματοληψίας. Ο ρυθμός ρύθμισης τάσης Sv και ο ρυθμός ρύθμισης ρεύματος Sl του τροφοδοτικού μεταγωγής ακριβείας μπορούν να φτάσουν περίπου το ±0,2%, που είναι κοντά στους δείκτες της γραμμικής ενσωματωμένης ρυθμιζόμενης τροφοδοσίας ισχύος.
(2) Θα πρέπει να επιλεγούν οπτικοί συζεύκτες των οποίων ο λόγος μεταφοράς ρεύματος (CTR) μπορεί να αλλάξει γραμμικά, όπως τα pC817A, NEC2501, 6N137 και άλλα μοντέλα. Δεν συνιστώνται συνηθισμένοι οπτοζεύκτες τύπου 4N×× όπως 4N25 και 4N35. Το τελευταίο έχει κακή γραμμικότητα και θα προκαλέσει παραμόρφωση κατά τη μετάδοση αναλογικών σημάτων, επηρεάζοντας την απόδοση σταθεροποίησης τάσης του τροφοδοτικού μεταγωγής.
(3) Η κύρια πλευρά του μετασχηματιστή υψηλής συχνότητας πρέπει να είναι εξοπλισμένη με κύκλωμα προστασίας για την απορρόφηση της τάσης αιχμής που προκαλείται από την επαγωγή διαρροής για να διασφαλιστεί ότι το MOSFET δεν έχει υποστεί ζημιά. Αυτό το κύκλωμα προστασίας θα πρέπει να συνδεθεί παράλληλα στο πρωτεύον. Υπάρχουν τέσσερις συγκεκριμένες επιλογές σχεδιασμού: ① Ένα κύκλωμα σύσφιξης που αποτελείται από μια μεταβατική δίοδο καταστολής τάσης (TVS) και μια δίοδο εξαιρετικά γρήγορης ανάκτησης (SRD). ② Ένα κύκλωμα σύσφιξης που αποτελείται από TVS και έναν ανορθωτή πυριτίου (VD) Ένα κύκλωμα σύσφιξης που αποτελείται από στοιχεία RC. ③ ένα κύκλωμα απορρόφησης που αποτελείται από στοιχεία RC και SRD. ④ ένα κύκλωμα απορρόφησης που αποτελείται από στοιχεία RC και VD. Μεταξύ των παραπάνω λύσεων, το ① έχει το καλύτερο αποτέλεσμα και μπορεί να δώσει πλήρη εικόνα στα πλεονεκτήματα των TVS με εξαιρετικά γρήγορη ταχύτητα απόκρισης και ικανότητα αντοχής σε μεταβατικούς παλμούς υψηλής ενέργειας. Το σχέδιο ② είναι δεύτερο.
(4) Κατά τη χρήση του τσιπ απαιτείται κατάλληλη ψύκτρα. Για το πακέτο TO-220, μπορεί να τοποθετηθεί απευθείας σε μια μικρή χαλαρή σανίδα. Για πακέτα DIp-8 και SMD-8, οι τέσσερις πηγές μπορούν να συγκολληθούν στο φύλλο χαλκού της πλακέτας τυπωμένου κυκλώματος με εμβαδόν 2,3 αντί για την ψύκτρα.
(5) Για να καταστείλετε τις παρεμβολές που εισάγονται από το ηλεκτρικό δίκτυο και να αποτρέψετε τη μετάδοση των παρεμβολών που δημιουργούνται από το τροφοδοτικό μεταγωγής προς τα έξω, είναι απαραίτητο να προσθέσετε ένα φίλτρο ηλεκτρομαγνητικής παρεμβολής πρώτου επιπέδου (EMIfilter) στην εισερχόμενη ισχύ άκρο, γνωστό και ως φίλτρο θορύβου τροφοδοσίας (pNF).
(6) Κατά τη χρήση αυτού του τύπου τσιπ, το καλώδιο της πηγής πρέπει να είναι όσο το δυνατόν μικρότερο. Για να σταθεροποιηθεί η τάση εξόδου χωρίς φορτίο ή ελαφρύ φορτίο, θα πρέπει να συνδεθεί μια αντίσταση αρκετών εκατοντάδων ohms στο άκρο εξόδου του ρυθμιζόμενου τροφοδοτικού ως το ελάχιστο φορτίο ή μπορεί να συνδεθεί παράλληλα ένας σωλήνας ρυθμιστή τάσης.
