Ποια είναι τα μέτρα για την πρόληψη της EMI στο σχεδιασμό της τροφοδοσίας μεταγωγής
Ως συσκευή μετατροπής ενέργειας που λειτουργεί σε κατάσταση μεταγωγής, ο ρυθμός αλλαγής τάσης και ρεύματος του τροφοδοτικού μεταγωγής είναι πολύ υψηλός και η ένταση παρεμβολής που δημιουργείται είναι σχετικά μεγάλη. Οι πηγές παρεμβολών συγκεντρώνονται κυρίως κατά την περίοδο μεταγωγής ισχύος και το ψυγείο και ο μετασχηματιστής υψηλής στάθμης είναι συνδεδεμένοι σε αυτό. Σε σύγκριση με το ψηφιακό Η θέση της πηγής παρεμβολής κυκλώματος είναι σχετικά σαφής. η συχνότητα μεταγωγής δεν είναι υψηλή (από δεκάδες kilohertz σε πολλά megahertz) και οι κύριες μορφές παρεμβολής είναι η παρεμβολή αγωγιμότητας και η παρεμβολή κοντινού πεδίου. ενώ η καλωδίωση της πλακέτας τυπωμένου κυκλώματος (PCB) είναι συνήθως χειροκίνητη, έχει μεγαλύτερη αυθαιρεσία, γεγονός που αυξάνει τη δυσκολία εξαγωγής παραμέτρων διανομής PCB και εκτίμησης παρεμβολών κοντινού πεδίου.
Εντός 1MHZ - κυρίως παρεμβολές διαφορικού τρόπου λειτουργίας, οι οποίες μπορούν να λυθούν αυξάνοντας τον πυκνωτή Χ
1MHZ---5MHZ---διαφορική λειτουργία και κοινή λειτουργία μικτή, χρησιμοποιήστε το τερματικό εισόδου και μια σειρά πυκνωτών Χ για να φιλτράρετε τις διαφορικές παρεμβολές και να αναλύσετε ποιο είδος παρεμβολής υπερβαίνει το πρότυπο και να το λύσετε. 5M---τα παραπάνω είναι κυρίως κοινές παρεμβολές , χρησιμοποιώντας τη μέθοδο καταστολής της συναφής. Για τη γειωμένη θήκη, η χρήση ενός μαγνητικού δακτυλίου στο καλώδιο γείωσης για 2 στροφές θα μειώσει σημαντικά την παρεμβολή πάνω από 10 MHZ (diudiu2006). για 25--30MHZ, μπορείτε να χρησιμοποιήσετε έναν μεγαλύτερο πυκνωτή Υ στο έδαφος και να τυλίξετε χάλκινο δέρμα έξω από τον μετασχηματιστή , Αλλάξτε το PCBLAYOUT, συνδέστε ένα μικρό μαγνητικό δακτύλιο με διπλά καλώδια παράλληλα μπροστά από τη γραμμή εξόδου, τουλάχιστον 10 στροφές και συνδέστε ένα φίλτρο RC και στα δύο άκρα του σωλήνα ανορθωτή εξόδου.
30---50Το MHZ προκαλείται γενικά από την ενεργοποίηση και απενεργοποίηση υψηλής ταχύτητας των σωλήνων MOS. Μπορεί να λυθεί αυξάνοντας την αντίσταση της μονάδας MOS, χρησιμοποιώντας αργούς σωλήνες 1N4007 για το κύκλωμα buffer RCD και χρησιμοποιώντας αργούς σωλήνες 1N4007 για την τάση τροφοδοσίας VCC.
100---200Το MHZ προκαλείται γενικά από το αντίστροφο ρεύμα ανάκτησης του ανορθωτή εξόδου, μπορείτε να βάλετε μαγνητικά σφαιρίδια στον ανορθωτή
Μεταξύ 100 MHz και 200 MHz, τα περισσότερα από αυτά είναι PFC MOSFET και δίοδοι PFC. Τώρα τα MOSFET και οι δίοδοι PFC είναι αποτελεσματικά και η οριζόντια κατεύθυνση μπορεί βασικά να λύσει το πρόβλημα, αλλά η κατακόρυφη κατεύθυνση είναι πολύ αβοήθητη.
Η ακτινοβολία της τροφοδοσίας μεταγωγής γενικά επηρεάζει μόνο τη ζώνη συχνοτήτων κάτω από 100M. Είναι επίσης δυνατό να προστεθεί ένα αντίστοιχο κύκλωμα απορρόφησης στο MOS και στη δίοδο, αλλά η απόδοση θα μειωθεί.
Μέτρα για την αποτροπή EMI κατά το σχεδιασμό τροφοδοσίας μεταγωγής
1. Ελαχιστοποιήστε την περιοχή φύλλου χαλκού PCB των θορυβωδών κόμβων του κυκλώματος. όπως η αποχέτευση και ο συλλέκτης του σωλήνα διακόπτη, οι κόμβοι των πρωτευουσών και δευτερευουσών περιελίξεων κ.λπ.
2. Κρατήστε τους ακροδέκτες εισόδου και εξόδου μακριά από θορυβώδη εξαρτήματα, όπως πακέτα καλωδίων μετασχηματιστή, πυρήνες μετασχηματιστή, ψύκτρες σωλήνων μεταγωγής κ.λπ.
3. Κρατήστε τα θορυβώδη εξαρτήματα (όπως μη θωρακισμένα καλώδια μετασχηματιστή, μη θωρακισμένους πυρήνες μετασχηματιστή και σωλήνες μεταγωγής κ.λπ.) μακριά από την άκρη της θήκης, επειδή η άκρη της θήκης είναι πιθανό να βρίσκεται κοντά στο εξωτερικό καλώδιο γείωσης υπό κανονικές συνθήκες λειτουργία.
4. Εάν ο μετασχηματιστής δεν χρησιμοποιεί θωράκιση ηλεκτρικού πεδίου, κρατήστε τη θωράκιση και την ψύκτρα μακριά από τον μετασχηματιστή.
5. Ελαχιστοποιήστε την περιοχή των ακόλουθων βρόχων ρεύματος: δευτερεύων ανορθωτής (εξόδου), κύρια συσκευή τροφοδοσίας μεταγωγής, γραμμή κίνησης πύλης (βάσης), βοηθητικός ανορθωτής.
6. Μην αναμιγνύετε τον βρόχο ανάδρασης μονάδας πύλης (βάσης) με το πρωτεύον κύκλωμα μεταγωγής ή το βοηθητικό κύκλωμα ανόρθωσης.
7. Ρυθμίστε τη βέλτιστη τιμή της αντίστασης απόσβεσης έτσι ώστε να μην παράγει ήχο κουδουνίσματος κατά τη διάρκεια του νεκρού χρόνου του διακόπτη.
8. Αποτρέψτε τον κορεσμό του επαγωγέα φίλτρου EMI.
9. Κρατήστε τον κόμβο στροφής και τα εξαρτήματα του δευτερεύοντος κυκλώματος μακριά από τη θωράκιση του πρωτεύοντος κυκλώματος ή την ψύκτρα του σωλήνα διακόπτη.
10. Κρατήστε τους κόμβους αιώρησης και τα εξαρτήματα του πρωτεύοντος κυκλώματος μακριά από ασπίδες ή ψύκτρες.
11. Κάντε το φίλτρο EMI για είσοδο υψηλής συχνότητας κοντά στο άκρο του καλωδίου εισόδου ή του βύσματος.
12. Κρατήστε το φίλτρο EMI για έξοδο υψηλής συχνότητας κοντά στους ακροδέκτες του καλωδίου εξόδου.
13. Διατηρήστε μια ορισμένη απόσταση μεταξύ του φύλλου χαλκού του PCB απέναντι από το φίλτρο EMI και του σώματος του εξαρτήματος.
14. Βάλτε μερικές αντιστάσεις στη γραμμή του ανορθωτή για το βοηθητικό πηνίο.
15. Συνδέστε την αντίσταση απόσβεσης παράλληλα στο πηνίο της μαγνητικής ράβδου.
16. Συνδέστε τις αντιστάσεις απόσβεσης παράλληλα κατά μήκος του φίλτρου RF εξόδου.
17. Επιτρέπεται η τοποθέτηση κεραμικών πυκνωτών 1nF/500V ή σειράς αντιστάσεων στο σχέδιο PCB, και η σύνδεση τους μεταξύ του πρωτεύοντος στατικού άκρου του μετασχηματιστή και της βοηθητικής περιέλιξης.
18. Κρατήστε το φίλτρο EMI μακριά από τον μετασχηματιστή ισχύος. ιδιαίτερα αποφύγετε την τοποθέτηση στο τέλος της περιέλιξης.
19. Εάν η περιοχή PCB είναι επαρκής, οι ακίδες για την περιέλιξη θωράκισης και η θέση για τον αποσβεστήρα RC μπορούν να μείνουν στο PCB και ο αποσβεστήρας RC μπορεί να συνδεθεί στα δύο άκρα της περιέλιξης θωράκισης.
20. Εάν το επιτρέπει ο χώρος, τοποθετήστε έναν μικρό ακτινωτό πυκνωτή μολύβδου (Miller, 10 pF/1 kV) μεταξύ της αποστράγγισης και της πύλης του MOSFET ισχύος μεταγωγής.
21. Τοποθετήστε ένα μικρό αποσβεστήρα RC στην έξοδο DC, εάν το επιτρέπει ο χώρος.
22. Μην τοποθετείτε την πρίζα AC κοντά στην ψύκτρα του κύριου σωλήνα μεταγωγής.
