Εναλλαγή τροφοδοτικών Αντλήστε την αποθήκευση ενέργειας από πυκνωτές εξόδου
Στο διάγραμμα σχέσης φόρτισης τάσης, ο πυκνωτής αντιπροσωπεύεται από μια διαγώνια γραμμή και η ενέργεια που αποθηκεύεται στον πυκνωτή είναι η περιοχή που περιέχεται κάτω από αυτή τη γραμμή. Αν και η χωρητικότητα εξόδου των MOSFET ισχύος είναι μη γραμμική και ποικίλλει ανάλογα με τις αλλαγές στην τάση της πηγής αποστράγγισης, η αποθήκευση ενέργειας στην χωρητικότητα εξόδου εξακολουθεί να είναι η περιοχή που περιέχεται εκτός σύνδεσης από τη μη γραμμική χωρητικότητα. Επομένως, εάν μπορούμε να βρούμε μια ευθεία γραμμή που δίνει την ίδια περιοχή με την καμπύλη χωρητικότητας εξόδου που φαίνεται στο σχήμα 1, τότε η κλίση της γραμμής είναι ακριβώς η ισοδύναμη χωρητικότητα εξόδου που παράγει την ίδια αποθήκευση ενέργειας.
Για ορισμένα -μοντέρνα MOSFET επίπεδης τεχνολογίας, οι σχεδιαστές μπορούν να χρησιμοποιήσουν προσαρμογή καμπύλης για να βρουν την ισοδύναμη χωρητικότητα εξόδου με βάση τις τιμές χωρητικότητας εξόδου στον πίνακα δεδομένων στην τυπικά καθορισμένη τάση πηγής αποστράγγισης 25 V.
Το σχήμα 2 δείχνει τις μετρούμενες τιμές της χωρητικότητας εξόδου και την προσαρμοσμένη καμπύλη που ελήφθη από τον τύπο (3). Σε σύγκριση με την παλιά-μοντέρνα τεχνολογία MOSFET που φαίνεται στο Σχήμα 2 (α), η απόδοσή του είναι καλή. Ωστόσο, για MOSFET με πιο μη γραμμικά χαρακτηριστικά χωρητικότητας εξόδου που χρησιμοποιούν νέες τεχνολογίες όπως η τεχνολογία super junction, η απλή εκθετική προσαρμογή καμπύλης μερικές φορές δεν είναι αρκετά καλή. Το σχήμα 2 (β) δείχνει τη μετρούμενη χωρητικότητα εξόδου του MOSFET νέας τεχνολογίας και την προσαρμοσμένη καμπύλη που λήφθηκε χρησιμοποιώντας τον τύπο (3). Για την ισοδύναμη τιμή χωρητικότητας εξόδου, το κενό μεταξύ των δύο στην περιοχή υψηλής τάσης μπορεί να προκαλέσει τεράστια διαφορά, επειδή στον τύπο ολοκλήρωσης, η τάση πολλαπλασιάζεται με την χωρητικότητα. Η εκτίμηση στο Σχήμα 2 (β) θα οδηγήσει σε πολύ μεγαλύτερη ισοδύναμη χωρητικότητα, η οποία μπορεί να παραπλανήσει την αρχική σχεδίαση του μετατροπέα.
Εάν η τιμή της χωρητικότητας εξόδου ποικίλλει ανάλογα με την τάση της πηγής αποστράγγισης, η αποθήκευση ενέργειας στην χωρητικότητα εξόδου μπορεί να υπολογιστεί χρησιμοποιώντας τον τύπο (4). Αν και η καμπύλη χωρητικότητας εμφανίζεται στον πίνακα δεδομένων, δεν είναι εύκολο να διαβαστεί η τιμή χωρητικότητας από το γράφημα. Επομένως, με βάση την τάση της πηγής αποστράγγισης, η αποθήκευση ενέργειας στον πυκνωτή εξόδου δίνεται από το διάγραμμα στον πίνακα δεδομένων * new power MOSFET. Χρησιμοποιώντας την καμπύλη που φαίνεται στο Σχήμα 3 και τον τύπο (5), μπορεί να ληφθεί η ισοδύναμη χωρητικότητα εξόδου στην επιθυμητή τάση διαύλου συνεχούς ρεύματος (DC).
